接区域逐一展开，材料组工程师不断把数据与制造记录放在同一页面比对。
苏明哲站在屏幕前，目光落在内部成像区域。
“第一层晶粒图。”
工程师调出扫描结果，放大倍率从十倍提升到四十倍，晶粒边界逐渐显现，大小不一的灰色颗粒铺在屏幕上，几条较粗的边界贯穿其中。
“平均晶粒尺寸十二点八微米，最大十七点一微米。”
“设计区间。”
“八到十四微米。”
“继续看分布。”
扫描设备沿样件横向移动，屏幕上的晶粒图又换了一个区域，平均尺寸降到十点七微米，边界排列趋于均匀，内部孔道周围也保持完整。
陶安然站在另一块屏幕前：“WB-01前半区域符合设计窗口，后半区域还要看。”
苏明哲点开第二组数据：“内部孔隙。”
“孔隙率零点零八个百分点，低于内控线。”
“连接面。”
“平面度零点零六毫米，孔位偏差零点零二毫米。”
陶安然将结构图放大，指向一块靠近边缘的位置：“这片晶粒边界有聚集趋势。”
“记录位置。”
“距左侧边缘三百二十毫米，距上沿一百八十毫米。”
苏明哲拿起标记笔，在打印图上圈住对应区域。
“局部复扫。”
工程师调低扫描速度，第三套结构成像设备接入，原本连续的晶粒图分成更细的区域，设备沿着圈定位置反复扫描。
数据一组接一组刷新，平均晶粒尺寸从十三点二微米升到十五点六微米，局部最大值达到十八点四微米，边界处还出现两片彼此连接的异常晶粒。
材料组有人抬头看向苏明哲。
苏明哲把晶粒图放大到最大倍数，屏幕占满了半面墙，异常区域的边界被单独标成黄色，旁边列出设计区间和内控标准。
工程师低声说：“局部晶粒超出内控上限，面积占样件百分之零点七。”
苏明哲盯着那片区域看了片刻，抬手关掉扫描台。
“停。”
设备指示灯依次熄灭，承台旁的机械臂停在半空，材料组的记录笔悬在纸面上，整个测试区安静下来。
陶安然走到屏幕前：“WB-01局部晶粒超限。”
“样件暂停后续测试。”
“高热流台的排期锁定在下午。”
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